DS18B20

简单介绍一下，查询数据手册可以知道：
一个温度传感器，
测量范围在-55°C ~ +125°C，
仅需要单片机一个IO接口，
寄生电源模式（没玩过），
宽电压范围 +3.0V ~ +5.5V。

通信时序图

时序图：

参数表：

如图有：

写指令时序
读数据时序
重置重置时序
检测时序

写指令函数

观察写指令时序图，
首先将电平从低拉高后等待tREC的时间，时间查看参数表中最小为1us，
最小延迟1us是为了使电平稳定。
延迟1-2us后，
将电平改变成有效数据位的高低电平后，观察时序图tSLOT一个周期时间在60-120us之间，所以我们延迟60us即可。
如部分代码(其中使用了部分宏定义，若需要更全的文件，请跳至最后下载附件即可)：

/*******************************************************************************
  * 函数名：DS18B20_WriteByte
  * 功  能：向DS18B20写入一个字节
  * 参  数：u8Data:要写入的数据
  * 返回值：无
  * 说  明：
*******************************************************************************/
void DS18B20_WriteByte(uint8_t u8Data)
{
    uint8_t tempIndex,tempData;
    DS18B20_DQModeOutput();//设置为输出
    for (tempIndex = 1; tempIndex <= 8; tempIndex++)
    {
        tempData = (u8Data & 0x01);
        u8Data >>= 1;
        if (tempData == 1)
        {
            DS18B20_DQReset();//低电平
            delay_us(2);
            DS18B20_DQSet();//高电平
            delay_us(60);//延时60us
        }else
        {
            DS18B20_DQReset();//低电平
            delay_us(60);//延时60us
            DS18B20_DQSet();//高电平
            delay_us(2);
        }        
    }
}

读数据函数

同样和写指令时序一样，一个周期为60us到120us内，读取电平的有效数据时间在15us内都是有效的，
所以选择在12us后读取数据的电平，因为一个周期还没结束，所以多等待50us结束读取。
拉低电平 -> 等待2us -> 拉高电平 -> 等待12us -> 读取电平 -> 等待50us
部分代码(其中使用了部分宏定义，若需要更全的文件，请跳至最后下载附件即可)：

/*******************************************************************************
  * 函数名：DS18B20_ReadByte
  * 功  能：从DS18B20读取一个字节
  * 参  数：无
  * 返回值：u8Data读出的数据
  * 说  明：无
*******************************************************************************/
uint8_t DS18B20_ReadByte(void)
{
    uint8_t i,j, u8Ddata = 0;
    
    for (i = 1; i <= 8; i++)
    {        
        j = DS18B20_ReadBit();
        u8Ddata = (j << 7) | (u8Ddata >> 1);
    }    
    return u8Ddata;
}